MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种半导体器件，它是由金属、氧化物和半导体晶体构成的结构。

工作原理：
当MOS管的栅极施加一定电压后，形成一个电场，使得半导体的导电性发生变化，导致源极和漏极之间的电阻变化，从而实现电流的调制和控制。

主要参数：
1. 静态工作点：源漏电流、栅极电压；
2. 动态参数：最大漏极电流、最大漏极电压、最大功耗、开关时间和占空比等。

详解：
静态工作点是指MOS管在一个特定的电压下，源极和漏极之间电流为零的时候的工作点。一般情况下，厂家规定的静态工作点是最合适的工作点，如果偏离静态工作点，就会影响MOS管的工作性能。

动态参数是指MOS管在动态工作状态下的特性。最大漏极电流是MOS管能承受的最大电流，如果超过这个值，就会导致MOS管的损坏。最大漏极电压是MOS管能承受的最大电压，如果超过这个值，就会导致MOS管的击穿。最大功耗是MOS管可以承受的最大功率，超过这个值会导致MOS管的发热，甚至损坏。开关时间是指MOS管从关闭到打开所需的时间，占空比是指MOS管关闭时间和总时间的比率，在某些应用中需要特别注意。

总之，MOS管是一款常用的半导体器件，它的主要参数包括静态工作点和动态参数，需要根据具体的应用场景选择合适的MOS管型号和参数。